氮化镓与碳化硅优劣势_碳化硅跟石墨哪个能更耐高温

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氮化镓与碳化硅优劣势？

1、性能角度：

在性能上，碳化硅（SiC）器件能承受的电压峰值高达1200V，而氮化镓（GaN）器件的工作电压和功率密度略逊一筹。值得注意的是，GaN器件的开关速度极快，其dv/dt值超过100V/s，远超Si MOSFET的50V/s，使得它在高频操作中展现出卓越的效率和效能。然而，这种高速特性的副作用是，如果器件的寄生电容非零，可能导致数十安培的电流突波，可能在电磁兼容测试环节引发问题。

2、封装设计：

在封装领域，SiC占有优势，因为它可使用与IGBT和MOSFET相匹配的TO-247和TO-220封装，方便快捷地替换旧设备。相比之下，GaN器件采用更小巧的SMD封装，虽然能提升性能，但更适合用于全新的项目。

3、成本考量：

目前，SiC器件的价格更低，应用更为广泛，这主要因为其发展先于GaN。成本不仅受制于制造工艺，也取决于市场需求，这也是市场价格趋向稳定的原因之一。鉴于GaN衬底生产的高昂成本，大部分GaN器件选择以硅衬底为基础。

碳化硅跟石墨哪个能更耐高温？

碳化硅展现出卓越的电气性能，包括承受高压、耐受极高温度、适应高频操作以及抵抗辐射的能力，这使得它超越了传统的硅基半导体材料，成为新兴的第三代半导体的关键成分。这种材料主要用于制造氮化镓基的碳化硅射频设备和碳化硅功率装置。由于其在5G通信、军事国防、电动汽车及太阳能光伏行业的需求增长，碳化硅的应用前景呈现出显著的上升趋势。

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