三星正在开发新技术 让智能手机和平板使用HBM

得益于人工智能（AI）热潮的推动，高带宽内存（HBM）在过去几年间取得了显著发展，其迭代速度明显加快，已成为市场上最受青睐的DRAM技术之一。去年，SK海力士凭借向英伟达大规模供应HBM3和HBM3E，一度超越三星，领跑DRAM市场。

如今，三星正致力于开发一种独特的封装技术，旨在将HBM芯片引入智能手机和平板电脑，为移动设备打造高性能AI终端产品。传统移动DRAM通常采用铜线键合技术，其I/O引脚数量被限制在128至256个之间。这虽然有助于提升能效和降低发热量，但也带来了较大的信号损耗问题。

为此，三星计划采用超高长宽比的铜柱结合扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术。这种方法旨在提升芯片的耐热性，并增强其在持续工作负载下的性能表现。通过三星在垂直铜柱堆栈（VCS）方面的创新，DRAM芯片能够以“阶梯”结构进行堆叠，确保HBM在移动设备有限的空间内也能克服尺寸限制，发挥其性能优势。

据了解，三星已将垂直铜柱堆栈中铜柱的长宽比从现有的3-5:1大幅提升至15:1至20:1。然而，这种方法会导致铜柱直径减小。当直径低于10微米时，铜柱可能会出现弯曲甚至断裂的风险。此时，扇出型晶圆级封装技术就发挥了关键作用。该技术能够通过向外延伸铜线来增强结构完整性，同时还能显著增加I/O引脚数量，从而带来高达30%的带宽提升。

目前尚不清楚三星何时会将这项新技术投入实际应用。从时间表推测，它可能被集成到未来的Exynos 2800或Exynos 2900处理器中。有传闻称苹果也考虑在iPhone中引入HBM技术，但尚不确定其是否会选择三星的这项方案。考虑到当前的DRAM市场行情，预计只有在价格稳定之后，此类方案的可行性才会被广泛讨论。