尔必达12月将启动30纳米DRAM量产

　　9月29日上午消息，据《日本经济新闻》周三报道，尔必达计划在今年12月开始量产40纳米以下的DRAM芯片，此举预计可节省生产成本约30%。尔必达即将量产的DRAM芯片线宽仅略大于30纳米，比三星电子的最新制程更小。至目前为止，三星仍是全球首家跨入40纳米制程以下的公司。

　　报道称，尔必达已开发出的“双重曝光 (double-patterning)”新技术，能用现有的设备来达成更精细制程，而无需进行大规模的资本投资。

　　尔必达位于日本广岛的工厂，将于12月率先量产新DRAM芯片；瑞晶电子预定在2011年底之前启动。

　　转入DRAM新制程，初估可增加尔必达芯片收益约45%，进而压低生产成本30%，达到与三星相同的水准。