手机或引入低延迟大容量DRAM设计 以支持AI运算

智能手机内部的有限空间对安装高性能、高带宽内存（HBM）构成了显著挑战，制造商还需额外应对散热问题。然而，随着人工智能（AI）时代的来临，设备端计算需求的激增正促使智能手机制造商积极探索新的解决方案。

据 Wccftech 报道，华为和小米均计划采用一种名为“LLM”（Low Latency Memory，低延迟内存）的低延迟大容量 DRAM 设计。该设计旨在为 SoC（系统级芯片）和 NPU（神经网络处理器）提供支持。尽管并非传统意义上的 HBM，但“LLM”选择了相似的思路，其首要目标是显著提升内存带宽。预计带宽增幅可达 1.5 倍，同时功耗能够降低 50%。

实际上，在此之前已有消息称华为正在研发适用于智能手机的 HBM 设计。此外，苹果也被曝正在准备类似技术，并计划应用于未来的 iPhone 20 系列。三星同样进行了相关研究，探索通过复杂的封装技术来实现这种设计。

另一个值得注意的进展发生在两个月前。当时报道显示，高通选择与长鑫存储（CXMT）合作，共同开发用于智能手机的定制 DRAM。传闻高通希望通过引入新设计来提升 NPU 性能，从而推动真正的设备端 AI 运算，但具体细节尚不明朗。

尽管这些设计方案显然有别于常见的 HBM 技术，但它们的目标却是殊途同归：即在智能手机有限的物理空间内实现更强的计算能力，进而提升 AI 应用体验。如果研发进展顺利，预计不久的将来，我们就将看到智能手机制造商推出搭载这些技术成果的最终产品。