消息称英特尔与联电或合作开发3nm项目

2024年初，英特尔宣布与联华电子（UMC）建立战略合作伙伴关系，双方将共同开发12nm工艺平台，以满足移动终端、通信基础设施和网络等高增长市场的需求。该项目预计将于2026年完成工艺开发和验证工作，并在2027年投入生产。

然而，联华电子似乎不满足于此。据报道，去年该公司曾考虑在原有12nm合作基础上，增加6nm工艺合作。据Wccftech最新报道，英特尔可能已与联华电子展开新的合作，共同开发更为先进的制造技术。令人意外的是，新合作并非去年的6nm工艺，而是指向更前沿的3nm工艺技术。这显示联华电子有意涉足先进半导体制造领域。

英特尔与联华电子合作有其战略考量。一方面，英特尔可以发挥其在美国的大规模制造能力和FinFET晶体管设计专长；另一方面，联华电子在成熟制程节点上拥有丰富的晶圆代工厂经验，例如为客户提供关键的工艺设计套件（PDK），并理解如何扩展工艺组合。通过这种联盟，英特尔旨在提升其全球代工市场的竞争力，以扩大市场份额并加速追赶行业领头羊台积电（TSMC）。此次3nm合作生产预计将在英特尔位于美国亚利桑那州Ocotillo园区的晶圆厂进行，此举可利用现有设备降低前期投入成本并优化设备利用率，从而避免为新设备投入巨额资金。

根据2026年第一季度的全球晶圆代工市场份额统计，联华电子以3.9%的份额位居第四，仅次于中芯国际（SMIC）的5.1%。值得注意的是，联华电子曾在2017年宣布放弃10nm及以下先进制程节点的开发，仅停留在14nm节点。然而，随着成熟制程节点竞争日益激烈，加之人工智能时代的到来催生了对采用先进工艺芯片的巨大需求，联华电子已计划重返先进制程的竞争行列。